보앵 공부기록

하나의 트랜지스터로 구성된 NAND Flash는 웨이퍼당 더 많은 칩을 생산할 수 있어 집적도가 높다. 기존의 MOSFET과 다른 점은 control gate와 oxide 층 사이에 floating gate가 있다는 점이다. 이 floating gate에 전자를 넣고 빼내어 데이터를 쓰고 읽게된다. 이에 따라 SRAM, DRAM과 달리 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 비휘발성 메모리이지만, 속도가 느리고 내구성이 좋지 않다. 따라서 고용량, 저비용의 특성에 따라 대용량 스토리지용 메모리로 사용된다. 비휘발성 메모리의 한 종류인 NAND Flash의 동작(Program, Erase, 읽기)에 대해 알아보자. 1. Program - 쓰기 동작 " Floating Gate에 전자를 charge시켜 Vth를 증..

메모리 반도체란 정보를 저장하고 기억하는 반도체로 크게 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 나뉜다. 휘발성 메모리는 전원이 인가된 상태에서만 저장장치로의 역할을 하고, 비휘발성 메모리는 전원이 끊겨도 데이터를 유지한다. 따라서 전체 데이터는 용량이 큰 기억장치에 저장해놓고 필요한 일부 데이터를 latency가 짧은 메모리에 옮겨 사용하게 된다. CPU ← SRAM ← DRAM ← HDD/SSD 휘발성 메모리의 예로는 SRAM, DRAM이 있고, 비휘발성 메모리의 예로는 PROM, EPROM, EEPROM, FLASH(NOR, NAND)가 있다. 메모리 반도체의 대표적인 3가지, SRAM, DRAM, NAND Flash의 기본적인 구조 및 특성에 대해 알아보자. 0. 표 하나로 정리하는 SRAM, DRAM,..