보앵 공부기록

1T1C로 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성된 DRAM은 커패시터에 전하를 충/방전 하며 데이터를 읽고 쓰게 된다. 커패시터 특성상 누설전류가 발생하여 주기적으로 전하를 채워주는 refresh 동작이 필요하다. 하지만 SRAM 대비 높은 집적도와 저렴한 가격이라는 장점 때문에 DRAM이 더 많이 사용된다. 휘발성 메모리의 한 종류인 DRAM의 동작(대기, 읽기, 쓰기, refresh)에 대해 알아보자. 0. Bitline 과 wordline 본격적으로 들어가기에 앞서 기본 용어에 대해 정리하자. 앞선 포스팅에서 1T1C DRAM cell의 구조에 대해 살펴보았다. 하지만 실제 DRAM 메모리는 단일 셀로 구성된 것이 아닌 여러 개의 DRAM cell의 집합, 즉 array 형태로 이루어져 있다...

SRAM은 CMOS 인버터의 입/출력이 서로 맞물린 래치 회로와 bitline과 연결된 2개의 acccess 트랜지스터로 구성되어 있다. 이에 따라 서로 반대의 데이터가 저장된 래치 회로의 양단 전압 차에 의해 0과 1을 기록하고 읽는다. 이에 따라 속도가 빠르다는 특징이 있지만 집적도가 낮고 가격이 비싸며 소비전력도 크다는 단점이 있다. 휘발성 메모리의 한 종류인 SRAM의 동작(대기, 읽기, 쓰기)에 대해 알아보자. 0. Bitline 과 wordline 본격적으로 들어가기에 앞서 기본 용어에 대해 정리하자. 앞선 포스팅에서 6개의 트랜지스터로 구성된 기본 SRAM cell의 구조에 대해 살펴보았다. 하지만 실제 SRAM 메모리는 단일 셀로 구성된 것이 아닌 여러개의 SRAM cell의 집합, 즉 a..