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Channel Length Modulation
" Short channel에서 saturation current가 선형적으로 증가하는 현상 "
이상적인 MOSFET의 동작에서 pinch-off 지점 이후로 drain 전압이 증가해도 drain 전류가 포화됨에 따라 일정하게 유지된다.
하지만 실제로는 drain 전압이 증가함에 따라 pinch-off region이 늘어나 채널길이가 짧아짐에 따라 drain 전류가 증가하게 된다. 이는 depletion 영역이 증가하고 채널길이가 짧을수록 저항이 감소하기 때문이다.
이에 따라 포화 전류식은 아래와 같이 바뀐다.
※ Early Voltage = V(A) = 1/λ
Long channel에서는 pinch-off 지점과 drain 사이 거리가 전체 채널 길이 대비 매우 짧아서 channel length modulation 현상을 무시할 수 있다. Gate 전압에 의해 생성되는 전자의 양이 같으므로 pinch-off 지점 끝에 도달한 전자가 drain 부근의 강력한 전계에 의해 끌려가게 되므로 drain 전압은 전류 변화에 영향을 주지 못한다.
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