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1. DDR (Double Data Rate)
DDR은 CLK의 rising/falling edge에서 모두 데이터를 전송하여 대역폭을 넓힌 DRAM 메모리이다. 이와 대비되는 SDR은 Single Data Rate으로 한 번의 클럭에 한 번의 데이터를 전송한다.
DDR2, DDR3, DDR4와 같이 세대가 높아질수록 최대 데이터 전송 속도와 소비전력 측면에서 성능이 향상된다. 보통 최대 데이터 전송 속도가 두 배씩 증가하고 동작 전압이 낮아진다.
2. LPDDR (Low Power Double Data Rate)
LPDDR은 스마트폰이나 태블릿과 같은 모바일 기기에 사용되는 저소비전력의 DRAM 메모리이다.
DDR과 마찬가지로 LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4, LPDDR5 등 세대가 높아질수록 최대 데이터 전송 속도와 소비전력 측면에서 성능이 향상된다.
3. HBM (High Bandwidth Memory)
기존의 wire bonding이 아닌 상하단으로 적층된 칩에 미세한 구멍을 뚫어 전극으로 연결하는 TSV공정 (Through Silicon Via)을 시용하여 처리속도를 높인 메모리이다. TSV는 수직으로 연결하기 때문에 wire bonding과 달리 추가적인 공간이 필요없다.
주로 데이터 센터나 서버향, AI향 메모리로 사용된다.
3. GDDR (Graphics DDR)
그래픽카드에서 사용하기 위한 메모리로 속도가 빠르지만 전력소모가 크다.
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