토마토의 공부기록

하나의 트랜지스터로 구성된 NAND Flash는 웨이퍼당 더 많은 칩을 생산할 수 있어 집적도가 높다. 기존의 MOSFET과 다른 점은 control gate와 oxide 층 사이에 floating gate가 있다는 점이다. 이 floating gate에 전자를 넣고 빼내어 데이터를 쓰고 읽게된다. 이에 따라 SRAM, DRAM과 달리 전원이 꺼져도 데이터가 유지되는 비휘발성 메모리이지만, 속도가 느리고 내구성이 좋지 않다. 따라서 고용량, 저비용의 특성에 따라 대용량 스토리지용 메모리로 사용된다. 비휘발성 메모리의 한 종류인 NAND Flash의 동작(Program, Erase, 읽기)에 대해 알아보자. 1. Program - 쓰기 동작 " Floating Gate에 전자를 charge시켜 Vth를 증..

1T1C로 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성된 DRAM은 커패시터에 전하를 충/방전 하며 데이터를 읽고 쓰게 된다. 커패시터 특성상 누설전류가 발생하여 주기적으로 전하를 채워주는 refresh 동작이 필요하다. 하지만 SRAM 대비 높은 집적도와 저렴한 가격이라는 장점 때문에 DRAM이 더 많이 사용된다. 휘발성 메모리의 한 종류인 DRAM의 동작(대기, 읽기, 쓰기, refresh)에 대해 알아보자. 0. Bitline 과 wordline 본격적으로 들어가기에 앞서 기본 용어에 대해 정리하자. 앞선 포스팅에서 1T1C DRAM cell의 구조에 대해 살펴보았다. 하지만 실제 DRAM 메모리는 단일 셀로 구성된 것이 아닌 여러 개의 DRAM cell의 집합, 즉 array 형태로 이루어져 있다...